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ESD保護(hù)器件的主要特性參數(shù)分析及典型應(yīng)用1

日期:2024-09-19 10:15
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摘要: ESD保護(hù)對高密度、小型化和具有復(fù)雜功能的電子設(shè)備而言具有重要意義。本文探討了采用TVS二極管防止ESD時(shí),*小擊穿電壓和擊穿電流、*大反向漏電流和額定反向關(guān)斷電壓等參數(shù)對電路的影響及選擇準(zhǔn)則,并針對便攜消費(fèi)電子設(shè)備、機(jī)頂盒、以及個(gè)人電腦中的視頻線路保護(hù)、USB保護(hù)和RJ-45接口等介紹了一些典型應(yīng)用。 隨著移動(dòng)產(chǎn)品、打印機(jī)、PC,DVD、機(jī)頂盒(STB)等產(chǎn)品的迅速發(fā)展,消費(fèi)者正要求越來越先進(jìn)的性能。半導(dǎo)體組件日益趨向小型化、高密度和功能復(fù)雜化,特別是像時(shí)尚消費(fèi)電子和便攜式產(chǎn)品等對主板面積要求嚴(yán)格的應(yīng)用很容易受...

ESD保護(hù)對高密度、小型化和具有復(fù)雜功能的電子設(shè)備而言具有重要意義。本文探討了采用TVS二極管防止ESD時(shí),*小擊穿電壓和擊穿電流、*大反向漏電流和額定反向關(guān)斷電壓等參數(shù)對電路的影響及選擇準(zhǔn)則,并針對便攜消費(fèi)電子設(shè)備、機(jī)頂盒、以及個(gè)人電腦中的視頻線路保護(hù)、USB保護(hù)和RJ-45接口等介紹了一些典型應(yīng)用。 

隨著移動(dòng)產(chǎn)品、打印機(jī)、PC,DVD、機(jī)頂盒(STB)等產(chǎn)品的迅速發(fā)展,消費(fèi)者正要求越來越先進(jìn)的性能。半導(dǎo)體組件日益趨向小型化、高密度和功能復(fù)雜化,特別是像時(shí)尚消費(fèi)電子和便攜式產(chǎn)品等對主板面積要求嚴(yán)格的應(yīng)用很容易受到靜電放電的影響。一些采用了深亞微米工藝和甚精細(xì)線寬布線的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路,對電路瞬變過程的影響更加敏感,將導(dǎo)致上述的問題更加激化。 

ESD保護(hù)原理 

    電路保護(hù)元件存在幾種技術(shù),當(dāng)選擇電路保護(hù)元件時(shí),若設(shè)計(jì)師選擇不當(dāng)?shù)谋Wo(hù)器件將只能提供錯(cuò)誤的**概念。電路保護(hù)元件的選擇應(yīng)根據(jù)所要保護(hù)的布線情況、可用的電路板空間以及被保護(hù)電路的電特性來決定。此外,了解保護(hù)元件的特性知識也非常必要,需要考慮的重要因素之一是器件的箝位電壓。    所謂箝位電壓是在ESD器件里跨在瞬變電壓消除器(TVS)上的電壓,它是被保護(hù)IC的應(yīng)變電壓。 因?yàn)槔孟冗M(jìn)工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄,柵極氧化層更易受到損害。這意味著較高的箝位電壓將在被保護(hù)IC器件上產(chǎn)生較高的應(yīng)變電壓,并且增加了失效的概率。 

很多保護(hù)元件都被設(shè)計(jì)成可吸收大量的能量,由于元件結(jié)構(gòu)或設(shè)計(jì)上的原因也導(dǎo)致其具有很高的箝位電壓。由于變阻器的箝位電壓太高,他們不能夠提供有效的ESD保護(hù)。此外,由于變阻器的高電容他們也不能給高速數(shù)據(jù)線路提供保護(hù)。TVS二極管正是為解決此問題而產(chǎn)生的,它已成為保護(hù)便攜電子設(shè)備的關(guān)鍵性技術(shù)。 

VS二極管是專門設(shè)計(jì)用于吸收ESD能量并且保護(hù)系統(tǒng)免遭ESD損害的固態(tài)元件。如果應(yīng)用得當(dāng),TVS二極管將限制跨在被保護(hù)器件上的電壓剛好高過額定工作電壓,但是卻遠(yuǎn)低于破壞閾值電壓。 

TVS相關(guān)參數(shù) 

    處理瞬時(shí)脈沖對器件損害的*好辦法是將瞬時(shí)電流從敏感器件引開。TVS二極管在線路板上與被保護(hù)線路并聯(lián),當(dāng)瞬時(shí)電壓超過電路正常工作電壓后,TVS二極管便發(fā)生雪崩,提供給瞬時(shí)電流一個(gè)超低電阻通路,其結(jié)果是瞬時(shí)電流通過二極管被引開,避開被保護(hù)器件,并且在電壓恢復(fù)正常值之前使被保護(hù)回路一直保持截止電壓。當(dāng)瞬時(shí)脈沖結(jié)束以后,TVS二極管自動(dòng)回復(fù)高阻狀態(tài),整個(gè)回路進(jìn)入正常電壓。許多器件在承受多次沖擊后,其參數(shù)及性能會(huì)發(fā)生退化,而只要工作在限定范圍內(nèi),二極管將不會(huì)發(fā)生損壞或退化。 

從以上過程可以看出,在選擇TVS二極管時(shí),必須注意以下幾個(gè)參數(shù)的選擇: 

1. *小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR。VBRTVS*小的擊穿電壓,在25時(shí),低于這個(gè)電壓TVS是不會(huì)發(fā)生雪崩的。當(dāng)TVS流過規(guī)定的1mA電流(IR)時(shí),加于TVS兩極的電壓為其*小擊穿電壓VBR。按TVSVBR與標(biāo)準(zhǔn)值的離散程度,可把VBR分為5%10%兩種。對于5%VBR來說,VWM=0.85VBR;對于10%VBR來說,VWM=0.81VBR。為了滿足IEC61000-4-2國際標(biāo)準(zhǔn),TVS二極管必須達(dá)到可以處理*小8kV(接觸)15kV(空氣)ESD沖擊,有的半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商在自己的產(chǎn)品上使用了更高的抗沖擊標(biāo)準(zhǔn)。對于某些有特殊要求的便攜設(shè)備應(yīng)用,設(shè)計(jì)者可以按需要挑選器件。 

2. *大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。VWM這是二極管在正常狀態(tài)時(shí)可承受的電壓,此電壓應(yīng)大于或等于被保護(hù)電路的正常工作電壓,否則二極管會(huì)不斷截止回路電壓;但它又需要盡量與被保護(hù)回路的正常工作電壓接近,這樣才不會(huì)在TVS工作以前使整個(gè)回路面對過壓威脅。當(dāng)這個(gè)額定反向關(guān)斷電壓VWM加于TVS的兩極間時(shí)它處于反向關(guān)斷狀態(tài),流過它的電流應(yīng)小于或等于其*大反向漏電流ID。 

3. *大箝位電壓VC和*大峰值脈沖電流IPP。當(dāng)持續(xù)時(shí)間為20mS的脈沖峰值電流IPP流過TVS時(shí),在其兩端出現(xiàn)的*大峰值電壓為VC。VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。VCVBR之比稱為箝位因子,一般在1.2~1.4之間。VC是二極管在截止?fàn)顟B(tài)提供的電壓,也就是在ESD沖擊狀態(tài)時(shí)通過TVS的電壓,它不能大于被保護(hù)回路的可承受極限電壓,否則器件面臨被損傷的危險(xiǎn)。

4. Pppm額定脈沖功率,這是基于*大截止電壓和此時(shí)的峰值脈沖電流。對于手持設(shè)備,一般來說500WTVS就足夠了。*大峰值脈沖功耗PMTVS能承受的*大峰值脈沖功耗值。在給定的*大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大。在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時(shí)間和環(huán)境溫度有關(guān)。而且,TVS所能承受的瞬態(tài)脈沖是不重復(fù)的,器件規(guī)定的脈沖重復(fù)頻率(持續(xù)時(shí)間與間歇時(shí)間之比)0.01%。如果電路內(nèi)出現(xiàn)重復(fù)性脈沖,應(yīng)考慮脈沖功率的累積,有可能損壞TVS。

5.  電容量C。電容量C是由TVS雪崩結(jié)截面決定的,是在特定的1MHz頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比,C太大將使信號衰減。因此,C是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重要參數(shù)。電容對于數(shù)據(jù)/信號頻率越高的回路,二極管的電容對電路的干擾越大,形成噪聲或衰減信號強(qiáng)度,因此需要根據(jù)回路的特性來決定所選器件的電容范圍。高頻回路一般選擇電容應(yīng)盡量小(LCTVS、低電容TVS,電容不大于3pF),而對電容要求不高的回路電容選擇可高于40pF。